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BiCMOS例相器延迟特性的计算与分析
吴金,魏同立,
半导体学报 , 1996,
Abstract: 本文对BiCMOS倒相器延迟特性进行了系统研究,在分析比较MOS与双极器件及其组成电路不同状态下的工作特点基础上,得到BiCMOS倒相电路在小注入、大注入和集电极寄生电阻等不同限制条件下的延迟时间的解析关系式,结果表明该模型具有近似于SPICE数值模拟精度,为各类高性能BiCMOS电路的优化设计与分析提供了理论依据.
基于全集成自提取结终端隔离BCD新工艺的场致发光高压驱动芯片
黄伟,胡南中,李海鸥,
电子学报 , 2013, DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2013.09.31
Abstract: 本文提出可集成自提取结终端的0.35μm150V-BCD(双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)全套新型高压工艺.利用此工艺研制出100V场致发光用高低侧驱动芯片,并提出了基于双极器件BC(双极集电极)结短路自提取结终端新工艺与新结构,既可满足场致发光高压驱动芯片应用,又能取代传统采用氧化扩散工艺的P-ISO(P型隔离结构)传统隔离结构,显著简化了工艺和提高了芯片的高集成度,确保片内集成的低电阻率VDNMOS/LDPMOS(N型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管/P型横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管)高压驱动模块与低压逻辑控制模块在100V高压脉冲交替工作状况下无负电位、EMMI(微光显微镜)等寄生现象出现.
超薄栅氧化层等离子体损伤的工艺监测
赵文彬,李蕾蕾,
电子学报 , 2009,
Abstract: 随着集成电路向深亚微米、纳米技术发展,等离子体充电对制造工艺造成的影响,尤其对超薄隧道氧化层的损伤越来越显著.本文分析了等离子体工艺损伤机理以及天线效应,设计了带有多晶、孔、金属等层次天线监测结构的电容和器件,并有不同的天线比.设计结构简单、完全工艺兼容,测试结果直观、测量灵敏度高等优点,实现了等离子体损伤芯片级工艺监控.测试分析表明,不同的膜层结构,等离子体损伤程度不同,当天线比大于103以后,充电损伤变得明显.同时测试也发现了工艺损伤较为严重的环节,为优化制造工艺,提高超薄栅氧化层抗等离子体损伤能力提供了科学的依据.
无回溯并行多路径搜索测试向量生成算法
黄越,,万书芹
计算机应用 , 2010,
Abstract: ?无回溯并行多路径搜索算法(nbmp)在生成测试向量过程中生成基于原始输入端奇异立方和与原始输出端关联的传输立方,并利用生成的奇异立方和传输立方生成测试向量。算法在实现过程采用无须回溯和多路径探索策略。通过分析和实验结果证明算法时间复杂度近似为线性。算法对iscas85基准电路中规模最大的8个电路进行实验,将实验结果与传统算法进行比较,结果表明nbmp算法故障覆盖率优于传统算法。
一种改进的伪布尔可满足性算法用于fpga布线
唐玉兰,刘战,,陈建慧?
计算机科学 , 2010,
Abstract: 为了避免伪布尔可满足性算法在布线过程中带来的增加转换成本的负面影响,提出了一种用于fpga的新的布线算法,该算法结合了伪布尔可满足性算法与几何布线算法的优点。在布线过程中,先选用pathfinder这种几何布线方法对fpc}a进行布线,如果不能成功再采用伪布尔可满足性算法。并在布线流程中增加了静态对称破缺技术对伪布尔约束进行预处理,侦测并破缺其中的对称,从而达到减少搜索路径,消减成本的目的。初步的实验结果表明,这种混合布线方法可以显著减少运行时间,加速求解过程,并且对整体方案无不良影响。
普光气田大湾区块高含硫水平井完井管柱优化设计
刘殷韬,雷有为,曹言,陈勇,,
天然气工业 , 2012,
Abstract: ?为实现高含硫气藏“少井高产、安全高效”的开发目的,对四川盆地普光气田大湾区块碳酸盐岩储层采用了以水平井为主的开发模式。根据大湾区块气藏及流体特点,综合考虑国内外高含硫水平井完井工艺技术现状,选择一次管柱多级卡封,逐级投球打开各层滑套改造储层作为本区块水平井完井工艺,进而开展了管柱参数和结构设计,优化设计出高含硫水平井完井管柱:套管完井分段酸压管柱、裸眼完井分段酸压管柱、套管监测水平井分段完井管柱。该管柱通过8口井现场应用,首次实现了国内高含硫水平井分段储层改造,增产效果明显,为气田的安全高效开发提供了有力的技术支撑,也为类似气田的开发提供了借鉴。
Kirk effect and suppression for 20 V planar active-gap LDMOS
Kirk effect and suppressing for 20 V planar active-gap LDMOS Nie Weidong(聂卫东)1, 2, Yi Fayou(易法友)2, and Yu Zongguang(于宗光)1

Nie Weidong,Yi Fayou,Yu Zongguang,
聂卫东
,易法友,

半导体学报 , 2013,
Abstract: For 20 V planar active-gap lateral double-diffused MOSFET (LDMOS), the sectional channel is utilized to decrease the electric field in the n-drift region below the poly gate edge in the off-state, compared with the conventional single channel. Then the n-drift concentration can be increased to decrease the Kirk effect, while keeping off-state breakdown voltage Vbd unchanged. Meanwhile the influence of the n-drift concentration and the n-drift length Ldrift (the drain n+ diffusion to gate spacing) which are related to the Kirk effect is discussed. The trade-offs between Rdson·Area, breakdown voltage Vbd and the electrical safe operating area (e-SOA) performance of LDMOS are considered also. Finally the proposed planar active-gap LDMOS devices with varied values of Ldrift are experimentally demonstrated. The experimental results show that the Kirk effect can be greatly suppressed with slight increase in the Rdson·Area parameter.
关于Pb208附近原子核的能谱(Ⅲ)——Pb208和Tl208
任庚未,,余友文,,
物理学报 , 1960,
Abstract: 用分波法来研究Pb208和Tl208的能谱,其理论结果与实验符合得很好。在这儿,我们将Pb208的第一激发态3-解释为三级表面振荡的3-能级。由此,Bi207,Pb206里的几条能级便得到了解释。
0.18μm混合信号RFCMOS工艺中新型低触发电压双向SCR 静电防护器件的设计
朱科翰,,董树荣,韩雁
半导体学报 , 2008,
Abstract: 提出了一类新型片上SCR静电放电防护器件,此类器件用于保护芯片双向抗击静电应力.比较和分析了四种双向SCR器件的触发电压.其中采用嵌入pMOS管或nMOS管的双向SCR器件结构具有可调触发电压,低漏电流(~pA)和开启速度快的骤回I-V特性,并且没有闩锁问题.该器件的抗ESD能力可达~94V/μm.此类新型ESD防护器件具有面积小、寄生效应小的特点.
High-Voltage MOSFETs in a 0.5μm CMOS Process
基于0.5μm CMOS工艺的高压器件

Zhao Wenbin,Li Leilei,Yu Zongguang,
赵文彬
,李蕾蕾,

半导体学报 , 2008,
Abstract: 近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23~25V,P管击穿BVdssp>19V.
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