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GeSi/Si应变结构内应力纵向分布
肖剑飞,松林
红外与毫米波学报 , 1997,
Abstract: 利用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延n-Ge0.2Si0.8/Si应变超晶格,观察到两个与位错有关的深中心,其中一个能级位置在EC=0.42eV,另一个随着偏压变化而发生明显的移动,深能级位置从EC=0.21eV变化到EC=0.276eV,我们认为是内应力引起的.取该深能级的流体静压力系数γ=6.59meV/Kba,求出超晶格中的应力分布与计算值符合较好.在此基础上提出了一种通过测量深能级随应力移动效应来确定应变结构内应力纵向分布的新方法.
GeSi/Si应变超晶格退火及离子注入研究
肖剑飞,松林
红外与毫米波学报 , 1997,
Abstract: 用深能级瞬态谱(DLTS)研究退火及离子注入对分子束外延生长的GeSi/Si应变超晶格性质的影响,观察到3个与位错有关的深中心和1个表层内的深中心,退火和离子注入都使得这些深中心的浓度增加数倍,说明GeSi/Si应变超晶格不适应做过多的热处理.同时测定Pd+注入在GeSi/Si超晶格的杂质能级为EC=0.28eV,与体Si中的Pd杂质能级一致.
Ge_(0.4)Si_(0.6)/Si多量子阱与Ge/Si短周期超晶格样品中的深中心
王海龙,司俊杰,松林
半导体学报 , 1999,
Abstract: 用深能级瞬态谱(DLTS)研究了分子束外延生长的Ge0.4Si0.6/Si多量子阱与Ge/Si应变超晶格样品中深能级中心的性质.在两种样品中都观测到两个多数载流子中心和一个少数载流子中心.在Ge0.4Si0.6/Si多量子阱样品中深中心E2的能级位置为EC-0.30eV,E3的能级位置为EC-0.22eV.并且在正向注入下随着E2峰的消失观测到一个少数载流子峰SH1,其能级位置为EV+0.68eV.在Ge/Si应变超晶格中,深中心H1的能级位置为EV+0.44eV,深中心H2的能级位置为EV+0.24eV
扫描隧道显微镜对InAs/GaAs自组织生长量子点的准原位研究
赵谦,松林,王志明
半导体学报 , 1998,
Abstract: 本文报道了用MBE-SPM联合系统对InAs/GaAs量子点进行准原位研究的初步结果.STM图像表明,在对n+-GaAs衬底进行脱氧处理后,通过生长GaAs缓冲层能有效的改善表面质量.在缓冲层上继续生长2单原子层InAs后形成了量子点.SPM与透射电子显微镜给出的量子点形貌的异同在文中也给出了合理的解释,该研究工作的进一步深入将对自组织生长量子点的生长机理的理解和样品质量的提高有重要意义.
大断面盾构隧道结构横向刚度有效率的原型试验研究
,何川,松林
岩石工程学报 , 2011,
Abstract: 通过对盾构隧道横向刚度有效率的影响因素进行分析,提出了针对大断面水下盾构隧道横向刚度有效率的原型试验求解方法,进而对南京长江隧道及广州珠江狮子洋隧道管片衬砌结构开展原型试验,得出两座隧道管片结构和随荷载条件变化的规律。结果表明,在同等荷载条件下,断面越大,越小,对应越大,错缝结构的大于通缝结构。正弯区与负弯区的不同,对于不同的管片结构型式,与的对应关系不同。同时,针对两座隧道不同结构形式给出了,的关系曲线,并提出了10m级和15m级水下盾构隧道通缝与错缝条件下与的建议值。
相变型半导体存储器研究进展
刘波,宋志棠,松林
物理 , 2005,
Abstract: ?文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.c-ram由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗低、可多级存储、高速读取、抗辐照、耐高低温、抗振动、抗电子干扰和制造工艺简单等优点,被认为最有可能取代目前的flash、dram和sram而成为未来半导体存储器主流产品.
METASTABLE CHARACTERISTICS OF ELECTRON IRRADIATION-INDUCED DEFECTS IN SUPERLATTICES
超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性

Feng Songlin,Zhou Jie,Lu Liwu,
松林
,周洁

红外与毫米波学报 , 1994,
Abstract: Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) was used to study the irradiation-induced defects in GaAs (50A)/GaAlAs (50A) superlattice. The existence of metastability of such defects was demonstrated, and their transition temperature was studied. The reason why these characteristics can not be observed in the bulk materials is pointed out.
外加电场对GaN/AlxGa1-xN双量子阱中性施主束缚能的影响
孟婧,王海龙,龚谦,松林
量子电子学报 , 2013,
Abstract: 在有效质量包络函数理论下,利用变分法计算了未加电场以及加入电场后双量子阱中施主杂质各种情况下的束缚能,讨论了双量子阱中间势垒高度、施主杂质位置对杂质束缚能的影响。给出了加入电场后施主位置不同时的束缚能和波函数,以及量子阱宽度不同时的束缚能,并且计算了未加电场和加入电场后中间势垒高度变化以及宽度不同时的束缚能。当双量子阱中间垒宽一定时,束缚能随着阱宽的变化会出现一个峰值。在阱宽一定时,随着中间垒宽度的增加,束缚能逐渐减小,并在垒宽增加到一定宽度时双量子阱情况与单量子阱情况相似,束缚能不再明显变化。计算结果对设计和研究量子阱发光和探测器件有一定的参考价值。
GaInAsP/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能
尹新,王海龙,龚谦,松林
量子电子学报 , 2013,
Abstract: 在有效质量近似下,利用变分法对GaxIn1-xAsyP1-y/InP阶梯量子阱中氢施主杂质束缚能进行了理论计算,并研究了外加电场和阶梯阱的高度对阶梯量子阱中氢施主杂质电子态特性的影响。计算结果显示当施主杂质位于阶梯量子阱的中心时,束缚能达到最大值;外加电场使得电子波函数从阱中心偏移,引起束缚能的非对称分布;Ga与As组分的变化使得阶梯阱的势能高度发生变化,从而明显的影响阱中氢杂质束缚能。计算结果对一些基于半导体阶梯型量子阱的光电子器件的设计制作有一定的指导意义。
MBE和MOCVD生长的AIGaAs/GaAs GRIN—SCH SQW激光器深中心的比较
卢励吾,周洁,松林,徐俊英,杨辉
物理学报 , 1995,
Abstract: 应用深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究分子束外延(MBE)和金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)生长的AlGaAs/GaAs graded index sparate confinement beterostruc-ture single quantum well(GRIN-SCH SQW)激光器的深中心.结果表明,在激光器的n-ALGaAs层里除众所周知的DX中心外,还存在着较大浓度和俘获截面的深(电子或空穴) 陷阱,它们直接影响着激光器的性能.其中MBE生长的激光器里的深空穴陷阱H1可能分布在x_(A1)=0.22→0.43和x (A1)=0.43的n-AlGaAs层里x_(A1)值不连续的界面附近,而深电子陷阱E3则可能分布在x_(A1)=0.43的n-AlGaAs层里x_(A1)值不连续的界面附近.MOCVD生长的激光器量子阱的AlGaAs层存在着DX中心和深电子陷阱.其中深电子陷阱E3可能分布在x_(A1)=0.22→0.30和x_(A1)=0.30的n-AlGaAs层里,而DX中心则分布在x_(A1)(x_(A1)=0.22→0.30和x_(A1)=0.30)值不连续的n-AlGaAs层界面附近.
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